ローム、パワー半導体に第3の矢「GaN」量産で挑む  さらば恋人 ♪

YouTubeよりコピー

2019年2月22日付けブログ「世界を一変させる日本発、画期的半導体画期的な半導体、窒化ガリウム(GaN)と、GaNより更に低コストで飛躍的に高性能な酸化ガリウム(Ga2O3)のパワー半導体をご紹介しました。

 

もう約4年も前の情報ですが、実は先日の日経電子版にローム、パワー半導体に第3の矢「GaN」量産で挑むとのタイトルで以下の記事が掲載されたので、いつものようにそっくりそのままカット&ペーストでご紹介します。

 

あれから4年もの歳月をかけて、第3の矢である窒化ガリウム(GaN)パワー半導体が本格的に市場で拡大していくようです。

 

ちなみに、第4の矢;次世代の酸化ガリウム(Ga2O3)パワー半導体は、本年2023年に実用化されるみたいです。

 

いづれのパワー半導体も、日本の研究開発技術が優位性を今のところ保っているようですが、過剰な規制でしばると、アッと言う間に量産体制で韓国や中国に追い越されると思います。

なので、技術開発と量産計画に対しては過剰な規制を排して、民間企業が自由闊達に展開できる環境を官僚には整えて頂きたいものです。

というよりは、官僚は補助金を提供するだけで、基本的に民間への天下りや規制・口出しはしないで頂きたいと思います。

 

天下りは、百害あって一利なし!

生え抜きのベテラン社員や若者に雇用を譲るべき!

官僚は高額の退職金と年金で余生を豊かに送りつつ、達観して日本の将来を見守って頂きたいです。

ちょっと強く言い過ぎたかも...反省ヾ(_ _。)

 

以下、日経電子版からカット&ペーストです。

 

ローム、パワー半導体に第3の矢 「GaN」量産で挑む

 [有料会員限定]
NIKKEI BUSINESS DAILY 日経産業新聞

ロームのパワー半導体「EcoGaN」が日経優秀製品・サービス賞の日経産業新聞賞を受賞した。窒化ガリウム(GaN)を使った半導体で、従来のシリコン製と比べて電力ロスを6割減らせるのが特徴だ。日本が優位に立つとされるパワー半導体分野で、シリコン、炭化ケイ素(SiC)に次ぐ第3の矢として世界のニーズを射止めようとしている。

EcoGaNは電力の供給・制御を効率化する「パワー半導体」の一種だ。窒素とガリウムの化合物「GaN」が材料で、周波数を高めることで、電気を細かく制御することができる。ドローンなどの部品の小型化につながる。

データセンターや通信基地局に強み

同じくパワー半導体の一種であるシリコンを使った半導体は制御に伴い電力のロスが発生しやすい欠点があるが、GaNはそれが抑えられる。SiCは高電圧や大電力が求められる電車や電気自動車(EV)といった用途に向いている一方、GaNは高頻度で電流のオン・オフが求められるデータセンターや通信基地局でも強みを発揮できるとみられる。

ロームがGaN製のパワー半導体の開発に着手したのは2007年だ。すでにパワー半導体ではSiCについて、京都大学などと研究を始めていた。パワー半導体の候補を考える上で、電力の損失を減らそうという発想があったのがきっかけでGaNに着目した。量産化に向けて18年に本格的な研究に入った。

GaNは薄い膜の様々な材料を重ねることで、高電子移動度トランジスタ(HEMT)の性能を上げていく。その膜に欠陥が出たり、ひびが出ないように「安定的に成膜するのに苦労した」(LSI事業本部商品設計担当の吉持賢一課長)。一度うまくいっても、もう一度同じものを作ろうとするとうまくいかないこともあり、量産化まで丸4年かかった。

LED技術が突破口に

量産体制の確立にはこれまでの研究成果の蓄積が大きく寄与している。例えば発光ダイオード(LED)のノウハウだ。GaNは青色LEDの開発、製造に必須の材料であり、過去の経験を活用することが量産化技術のブレークスルーにつながった。

EcoGaNを含むロームの製品戦略を主導する伊野和英取締役は「最初はそこまでしなくても既存の半導体の装置で作れると思っていた」と振り返る。

現状、GaN製半導体の量産体制を確立しているのは「国内ではロームだけ」(伊野取締役)だが、海外に目を向けるとライバルは多い。

先行企業に勝つために打ち出したのがデバイスの頑丈さだ。ロームはGaNデバイスに対する顧客の要望を聞く上で、実際にデバイスを駆動させるのに必要な電圧と、デバイスの性能を保証する上限の電圧値との余裕が少なく、安定的に性能を発揮させるのが難しいことがわかった。

そこで装置メーカーなどとの研究を重ね、独自構造を作ることに成功した。現在はゲート電極に5~8ボルトの電圧をかけても、デバイスの性能が十分に発揮できる頑丈さが強みになっている。

浜松市の工場で設備を整え、満を持して22年春に量産体制に入った。ロームとしては現在のパワー半導体の売上高の大半は、シリコンやSiCでシェア拡大を狙っている。ただ、今後は急速にドローンやデータセンターへの需要が増える見通しで、小型軽量化や高速スイッチングによる消費電力を削減できることへのニーズは一層高まるとみている。EcoGaNは25年以降の業績に上乗せする戦略を描いている。

すでにグローバルでの需要取り込みにも動いている。ロームはGaNデバイスについて台湾の電源管理システム大手、デルタ電子と半導体開発の戦略的パートナーシップを結んだ。デルタは携帯基地局やデータセンターに使う電源管理システムの世界大手だ。デルタの電源システムへのGaNデバイスの搭載を目指す。

GaN製デバイスは安定した構造を持ち、周波数を高められる。しかしその性能を十分に発揮させるには乗り越えるべきいくつかのハードルがある。

一つは高速スイッチングをするための適切な指示を出せるかどうかだ。GaNデバイスはあくまで指示を受けてはじめてアクションを起こす。デバイスがどれだけ速く反応できたとしても、「速く動きなさい」という指示が的確にできなければ、デバイスの効果を発揮できない。

LSIとパッケージ提案

その指示をだすのが大規模集積回路(LSI)だ。ロームはLSIを製造・販売しており、GaNとパッケージで売り込めるのがパワー半導体の専業メーカーにはない強みだ。「素早く指示を出せるLSIを一緒に売り込み、先行する他社に差を付けられる」(LSI事業本部の山口雄平統括課長)とみている。

GaNデバイスを担当する部署が「LSI事業本部」の中にあるのも、両者は切っても切れない関係にあるからだ。ICやLSIと一緒にパワーデバイスを提案できる企業は数少ない。

もう一つの課題は基板そのものをGaNで作れるかどうかだ。現在のGaNデバイスはシリコンの上にGaNを載せる横型が主流だ。横型は素子の表面にだけ電流が流れるため、大きな電力を通すことができない。

LSI事業本部がGaNデバイスを担当することでLSIとパッケージで提案している(左から吉持課長、伊野取締役、山口統括課長)

しかし、GaNの上にGaNを載せる縦型ならば素子の全体に電流が流れるため、大きな電力を扱うことができる。ロームは今は横型に注力しているが、縦型も「ウオッチしている」(伊野取締役)

大きな電力を流すことができれば、大電流を扱えるSiCの利点も取り込んだ、より強みのあるパワー半導体を作ることが可能になる。

GaNを巡っては多くの企業や大学がパワー半導体での採用をにらんだ研究開発に力を注ぐ。22年3月には豊田合成が大阪大学と共同でGaN基板の大口径化に成功したと発表した。ナトリウムとガリウムを混合した液体金属の中でGaNの結晶を成長させる「ナトリウムフラックス法」という手法を活用し、世界最大級となる6インチを超える高品質GaN基板を作製した。

もともと日本ではGaN研究が進んでいる。根底にあるのが青色発光ダイオード(LED)の基板として開発された日本発の技術だからだ。14年に名古屋大学の天野浩教授らがノーベル賞を受賞したことでも知られている。

半導体の材料となる窒化ガリウムの基板では、三菱ケミカルや住友化学住友電気工業などの日本企業が世界で存在感を示す。特許庁のGaNパワーデバイスの出願件数を国籍・地域別でみると、日本が全体の43.9%を占めており、中国や米国に大きく差を付ける。

日本勢の存在感大きく

GaN製パワー半導体への日本勢の取り組みは国内半導体産業全体を底上げするという点で重要だ。日本の半導体産業はピークだった1988年には50%と世界首位のシェアを握っていたが、足元では10%程度に低下している。かつて先行していたメモリーなどはシリコン基板の上に微細回路を構築する技術が進んで数兆円規模の設備投資を競うようになり、台湾や韓国勢に追い抜かれた。

そうした中でパワー半導体は日本勢が今も約3割のシェアを持つ。GaNなど化合物の素材開発などの知見が必要なため研究で先行している優位性を生かしやすい。ロームは市場が立ち上がる前に量産体制をつくり今後本格化する海外勢との競争に備える。

GaNデバイスは今後大きく伸びる見通しだ。英調査会社のオムディアによるとパワー半導体の素材別で、GaNの市場規模は27年に3億8000万ドル(約500億円)と、20年に比べ9倍になる。パワー半導体全体(約290億ドル)に比べれば規模はまだ小さいが、「GaNは間違いなく伸びる注目の素材だ」(伊野取締役)。

台湾の調査会社トレンドフォースによると、世界のGaNデバイスのプレーヤーのうち米ナビタスセミコンダクターが世界シェアの約3割を握っている程度だ。市場はまだ確立しておらず、シリコンデバイスでは顔を出さなかった中小企業など新興勢力も含めて、各社が量産に向け研究開発を進めている。

ロームは26年3月期までにSiCパワー半導体に最大2200億円投資する計画を表明している。GaNデバイスでも量産体制を整えた。同社が目指す「パワー・アナログ半導体の分野で、世界トップ10」を達成するには、EcoGaNを世界ブランドへと成長させるための戦略が欠かせない。

(鈴木洋介、京都支社 新田栄作)

 

半導体物質の性能を示す「バリガ性能指数」では、旧来のシリコン(Si)製を1とすると、省エネを実現する炭化ケイ素(SiC)が340、窒化ガリウム(GaN)が870で、酸化ガリウムGa2O3)何と3444だそうです。

(画像提供はフロスフィア)

www.comfizone-japan.com Blog Feed

(施工事例)憧れのログハウスの床下をセルロースファイバーで断熱施工 Caribbean Blue♪ (水, 04 9月 2024)
>> 続きを読む

壁内結露とカビ問題の動画をご紹介 Don't Speak♪ (Wed, 14 Aug 2024)
>> 続きを読む

2階のベランダに布を敷いて散水、気化熱効果で冷却!Ⅲ(漸次改良編)幸せになるため♪ (Wed, 07 Aug 2024)
>> 続きを読む

屋根の下ぶき防水シートにご注意!⑥(改訂版) セルロースファイバーの調湿力(最終回)Come Undone♪ (Thu, 11 Jul 2024)
>> 続きを読む

屋根の下ぶき防水シートにご注意!⑤(改訂版) 大切な家を長持ちさせるには、結露状況に応じた対応が肝要! 精霊流し (Mon, 08 Jul 2024)
>> 続きを読む